Optimum Barrier Height for SiC Schottky Barrier Diode

Table 4

Optimization results for the second section.

Results	𝑉	𝜙𝑚 (eV)	𝑁𝐴 (cm^−3)	𝑁𝑚 (cm^−3)	𝑁𝑓 (cm^−3)	𝐷it (cm^−3)	𝑑ox (cm)	𝜙𝐵 (V)
Maximize	0	3.5	8𝐸14	6𝐸11	2𝐸11	8𝐸13	5𝐸−8	3.328
Minimize	0	4.4	4𝐸15	2𝐸11	2𝐸11	8𝐸13	2.5𝐸−7	0.029
Maximize	1	5.1	6𝐸14	4𝐸10	4𝐸10	1𝐸12	1.5𝐸−7	3.328
Minimize	1	4.4	8𝐸10	8𝐸10	1𝐸13	4𝐸13	1.5𝐸−7	0.028
Maximize	0	3.5	1𝐸15	1𝐸12	8𝐸13	6𝐸11	2𝐸−7	3.328
Maximize	0	4.1	8𝐸15	4𝐸13	2𝐸11	1𝐸12	3𝐸−7	3.328
Maximize	0	4.4	6𝐸15	8𝐸10	6𝐸11	1𝐸13	2𝐸−7	3.328
Maximize	0	4.69	4𝐸15	1𝐸12	4𝐸10	4𝐸13	2𝐸−7	3.328
Maximize	0	5.1	1𝐸15	4𝐸13	1𝐸12	8𝐸12	1.5𝐸−7	3.328
Maximize	1	3.5	6𝐸14	2𝐸11	8𝐸13	4𝐸10	1𝐸−8	3.328
Maximize	1	4.1	1𝐸16	4𝐸12	8𝐸13	6𝐸11	9𝐸−8	3.328
Maximize	1	4.4	1𝐸15	8𝐸13	1𝐸12	2𝐸11	7𝐸−8	3.328
Maximize	1	4.69	8𝐸15	1𝐸13	4𝐸13	1𝐸12	1𝐸−8	3.328
Maximize	1	5.1	6𝐸15	8𝐸13	6𝐸11	8𝐸10	7𝐸−8	3.328